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onsemi NVMFS6B14NLT3G
| Artikelnummer: | NVMFS6B14NLT3G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi NVMFS6B14NLT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NVMFS6B14NLT3G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±16V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Serie Automotive, AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 55A (Tc) Grundproduktnummer NVMFS6 NVMFS6B14NLT3G Einzelheiten PDF [English] NVMFS6B14NLT3G PDF - EN.pdf -
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